Une équipe de scientifiques de l’Université de Fudan, en Chine, dirigée par le professeur Zhou Peg et Liu Chunsen, a réalisé une avance monumentale dans la technologie de la mémoire, présentant un dispositif de mémoire flash capable de faire le chiffre étonnant de 25 milliards d’opérations par seconde.
Cette réalisation sans précédent, détaillée dans le prestigieux magazine Nature, redéfinit les limites de la vitesse du stockage d’informations et promet de révolutionner l’avenir de l’informatique, en particulier dans le domaine de l’intelligence artificielle.
Baptisé comme « POX » (ou « Poxiao » dans certaines références), ce dispositif de mémoire flash innovante fonctionne à une vitesse de programmation de seulement 400 poivre (0,0000000004 secondes). Pour mettre cela en perspective, un pendrive USB conventionnel peut effectuer environ mille opérations par seconde, et le record mondial précédent pour une technologie similaire était d’environ deux millions d’opérations par seconde.
La mémoire de POX dépasse cet enregistrement pour un facteur de 100 000, établissant comme la mémoire de charge semi-conducteurs la plus rapide connue à ce jour.
Le secret derrière cette vitesse réside dans une reconfiguration fondamentale de la structure de la mémoire flash traditionnelle. Au lieu de canaux de silicium conventionnels, les chercheurs ont utilisé le graphène Dirac à deux dimensions, profitant de leurs propriétés de transport balistique de fret. Cela permet aux électrons d’atteindre des vitesses extrêmement élevées presque instantanément, sans «réchauffement» ou accélération progressive qui limitait les souvenirs flash précédents.
L’équipe a également utilisé l’optimisation des processus basée sur l’intelligence artificielle pour amener la mémoire non volatile à sa limite théorique.
Les implications de cette avance sont profondes. La technologie des POX, étant une mémoire non volatile, conserve les données sans aliments constants, ce qui pourrait réduire considérablement la consommation d’énergie dans les appareils mobiles, les systèmes d’intelligence artificielle et les centres de données. De plus, sa vitesse unique pourrait éliminer le goulot d’étranglement de la mémoire qui limite actuellement les performances des modèles d’IA à grande échelle, permettant le traitement réel des ensembles de données massifs. Vous pouvez même éliminer le besoin de caches SRAM à grande vitesse dans les puces AI, ce qui rend les conceptions plus compactes et efficaces.
Selon le professeur Zhou Peg, « c’est comme si l’appareil pouvait travailler un milliard de fois en un clin d’œil. »
Les chercheurs prévoient de gravir l’intégration de cette technologie à des dizaines de mégabits au cours des 3 à 5 prochaines années, date à laquelle il sera disponible pour des licences industrielles. Si la production de masse est réalisée, la mémoire de la variole pourrait transformer l’architecture informatique, permettant des appareils instantanés et des bases de données complètes stockées dans la RAM persistante.
Cette étape représente un saut quantique dans la technologie de stockage, ouvrant la voie à une nouvelle ère d’informatique ultra-graphe et efficace énergétiquement, tirée par l’intelligence artificielle.
L’Université de Fudan est l’une des institutions académiques les plus prestigieuses et les plus sélectives de Chine. Basée à Shanghai, l’université est reconnue pour son excellence dans la recherche et l’innovation dans un large éventail de domaines scientifiques et technologiques.
